エミッタの製造方法

開放特許情報番号:L2020000717 開放特許情報登録日:2020/4/8 最新更新日:2020/4/8

基本情報
出願番号
公開番号
WO2016/140177
登録番号
出願日
2016/2/29
公開日
2016/9/9
出願人
国立研究開発法人物質・材料研究機構
特許権者
国立研究開発法人物質・材料研究機構
権利化状況
権利化済
発明の名称
エミッタの製造方法
開放特許情報
技術分野
電気・電子
機能
材料・素材の製造
適用製品
エミッタ、それを用いた電子銃、それを用いた電子機器、および、その製造方法
目的
電子を高効率に安定して放出するエミッタ、それを用いた電子銃、それを用いた電子機器、および、その製造方法を提供する。
効果
長時間にわたって安定的に電子を放出できる。
技術概要
ナノワイヤを備えたエミッタの製造方法であって、
前記ナノワイヤは、炭化ハフニウム(HfC)単結晶からなり、
少なくとも前記炭化ハフニウム単結晶の電子を放出すべき端部は、酸化ハフニウム(HfO↓2)で被覆されており、
前記ナノワイヤの短手方向の長さは10nm以上60nm以下であり、
前記ナノワイヤの長手方向の長さは5μm以上30μm以下であり、
前記酸化ハフニウムの厚さは、1nm以上5nm以下であり、
前記電子を放出すべき端部の形状は、電界蒸発処理により半球状であり、
前記炭化ハフニウム単結晶からなるナノワイヤを、酸素を含有する雰囲気中で加熱するステップを包含し、
前記加熱するステップにおいて、酸素分圧は5×10↑(−9)Pa以上5×10↑(−8)Pa以下の範囲であり、加熱温度は500℃以上700℃以下の範囲であり、加熱時間は3分以上7分以下の範囲である、方法。
イメージ図
実施実績   :
許諾実績 :
特許権譲渡  :
特許権実施許諾:
登録者情報
その他の情報
関連特許
(国内):
(国外):
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