目的
デバイスにおいて蓄えられた電荷と生成される磁束との間の１対１の対応を示すことができる現実的なデバイスを設計する。
効果
電子デバイスの電磁応答の位相的制御を可能にする。
技術概要
単位キャパシタのらせん状アレイであって、
構成要素としての単位キャパシタは、容量性の素子とらせん状の電荷の流れによって生み出される誘導的性質とによって生成される周波数の上側限界および下側限界の間において、蓄えられた電荷の関数としての出力磁界の線形な増加を示し、
前記上側および下側周波数限界は、バンドパスフィルタとして振る舞い、いくつかのそのようなバンドパスフィルタが存在し、
デバイスが、アレイの長さよりも長い波長および短い波長を有する種々の周波数で共振する、
単位キャパシタのらせん状アレイ。
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