適用製品
強磁性トンネル接合体、並びにこれを用いた磁気抵抗効果素子及びスピントロニクスデバイスへの応用
目的
スピネル構造を有するＭｇＡｌ↓２Ｏ↓４型絶縁体材料を用いたバリア層を用いて従来にはない高いトンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）比を達成する格子整合した強磁性トンネル接合体（ＭＴＪ素子）を提供する。
効果
スピネル構造を持つ立方晶の非磁性物質からなる結晶質バリア層と高スピン分極率を有するＣｏ基ホイスラー合金層を組み合わせたＭＴＪ素子を用いることで、高いＴＭＲ比を室温で利用できることができる上、格子整合した界面が得られることから、高い印加電圧においても大きな室温ＴＭＲ比を利用することが可能になる。
技術概要
トンネルバリア層がスピネル構造をもつ立方晶の非磁性物質からなり、トンネルバリア層の上下に隣接する２つの強磁性層の両方がＣｏ↓２ＦｅＡｌのホイスラー合金からなる強磁性トンネル接合体。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
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