適用製品
Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ↓２型カルコパイライト型化合物半導体を磁気抵抗素子のスペーサ材料に適用した磁気抵抗素子及びその製造方法
目的
カルコパイライト型化合物半導体を中間層として用いることで高いＭＲ比とデバイス応用に適当なＲＡを有する磁気抵抗素子を提供する。
効果
高いＭＲ比とデバイス応用に適当なＲＡを有する磁気抵抗素子が得られる。
高密度の記憶容量を有する垂直磁気記録装置や不揮発ロジックデバイス等に応用可能なスピントランジスタが得られる。
技術概要
基板上に第１の強磁性層、非磁性層、第２の強磁性層を積層した構造を有する磁気抵抗素子であって、
ホイスラー合金からなる前記第１の強磁性層と、
ホイスラー合金からなる前記第２の強磁性層と、
Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ↓２型カルコパイライト型化合物半導体からなる前記非磁性層であって、前記非磁性層の厚さは０.５〜３ｎｍであり、
磁気抵抗（ＭＲ）変化率が４０％以上であり、素子抵抗（ＲＡ）が０．１［Ωμｍ↑２］以上３［Ωμｍ↑２］以下であることを特徴とする磁気抵抗素子。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
