目的
強磁性金属／非磁性金属／強磁性金属の３層構造を持つ薄膜の面直方向磁気抵抗効果（ＣＰＰＧＭＲ）を利用した素子において、従来構造よりも高い磁気抵抗出力を発現する磁気抵抗素子を提供する。
効果
従来例のような比較的重い元素Ｒｈ・Ｓｎや磁性元素Ｎｉを含まず、電気抵抗率が低くスペーサ層に適した材料として、Ｍｇ↓（１−ｘ）Ｔｉ↓ｘＯ↓ｙ（０．５≦ｘ≦１．０，０．８≦ｙ≦１．２）をスペーサ層に用いることによりＡｇスペーサ層を用いた場合よりも高い磁気抵抗変化量を得ることができる。
ＭＴＯを用いたＣＰＰＧＭＲ素子を作製することができ、高い磁気抵抗出力を提供できる。また本発明の磁気抵抗素子を用いた磁気ヘッド及び磁気再生装置に用いて好適である。
技術概要
ホイスラー合金よりなる下部強磁性層と上部強磁性層、及び当該下部強磁性層と上部強磁性層との間に挟まれたスペーサ層とを備える磁気抵抗素子において、前記スペーサ層がＭｇ↓（１−ｘ）Ｔｉ↓ｘＯ↓ｙ（０．５≦ｘ≦１．０，０．８≦ｙ≦１．２）を含んでなることを特徴とする磁気抵抗素子。
基本情報
開放特許情報
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