目的
２種類の半導体の接合によるヘテロ界面を有する半導体装置であって、ヘテロ界面における電荷の移動・分離・再結合の制御性を高め、ＰＶＲを向上させた半導体装置を提供する。
効果
ソース側、ドレイン側のトランジスタチャネルとなる半導体材料として２種類の有機半導体を用い、それらを接合して形成されるヘテロ界面において、共鳴的なドレイン電流を誘起して動作させるものである。
技術概要
基板と、
前記基板の一方の主面に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成されたｐ型有機半導体膜およびｎ型有機半導体膜と、
前記ｐ型有機半導体膜上に形成された第１電極と、
前記ｎ型有機半導体膜上に形成された第２電極と、を備え、
前記ｐ型有機半導体膜の一部と前記ｎ型有機半導体膜の一部とが重なって、平坦なヘテロ界面が形成されており、
前記ｐ型有機半導体膜を構成する分子、前記ｎ型有機半導体膜を構成する分子は、前記基板の一方の主面に対して垂直に配向していることを特徴とする半導体装置。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
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