目的
ゲート容量Ｃｏｘが大きく、高電界用途に適応するＭＩＳ型半導体装置を提供すること、およびそのＭＩＳ型半導体装置の製造方法を提供する。ＧａＮ半導体と絶縁膜との界面に中間層を形成することなく、かつ高誘電率絶縁膜を有するＭＩＳ型半導体装置およびその製造方法を提供する。
効果
３．４ｅＶという広いバンドギャップ、高い飽和電子速度および高い絶縁破壊電界強度を有するＧａＮを用いた半導体装置において、半導体層と絶縁体層との界面に酸化層や相互拡散層などの中間層を形成することなく高い誘電率をもったＨｉｇｈ−ｋ膜を形成することができる。このため、提供されるＭＩＳ型半導体装置は、ヒステリシスが少なく、電気特性が安定し、ゲート容量Ｃｏｘの大きく、高電界が印加される状況においても良好な動作をするＭＩＳ型半導体装置となる。
技術概要
半導体層と絶縁体層と導電体層を有し、前記絶縁体層が前記半導体層と前記導電体層で挟まれたＭＩＳ型半導体装置であって、
前記半導体層はＧａＮ、ＺｎＳ、β−Ｇａ↓２Ｏ↓３、Ｃ、ＡｌＮの群から選ばれる少なくとも１以上の半導体を含み、
前記絶縁体層はランタンフッ化物を含む、ＭＩＳ型半導体装置。
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