適用製品
ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、又はＩ−ＩＩＩ−ＶＩ２型カルコパイライト型化合物半導体を用いた垂直磁化膜磁気ヘテロ接合素子
目的
強磁性層と非磁性層との界面で純良な界面が得られると共に高い垂直磁気異方性エネルギーを有する磁気ヘテロ接合素子を提供する。
効果
非磁性層がＺｎＳｅ、ＺｎＳ、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ２型カルコパイライト型化合物半導体からなる群から選択される化合物からなるため、酸素を含有せず、強磁性層の磁性材料は非磁性層による酸化が防止される。強磁性層と非磁性層との界面で、純良な界面が得られると共に高い垂直磁気異方性エネルギーを有する磁気ヘテロ接合素子が得られる。高密度の記憶容量を有する垂直磁気記録装置や不揮発ロジックデバイス等に応用可能なスピンロジック素子が得られる。
技術概要
基板と、この基板に隣接して設けられるか、又は下地層を挟んで設けられる強磁性層と、この強磁性層に隣接して設けられる非磁性層を有すると共に、当該強磁性層と非磁性層は［００１］配向で積層した構造を有する磁気ヘテロ接合素子であって、
鉄を含有する強磁性材料からなる前記強磁性層と、
ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ２型カルコパイライト型化合物半導体からなる群から選択される化合物からなる前記非磁性層とを備え、
前記強磁性層と前記非磁性層との接合界面における界面結晶磁気異方性定数（Ｋｓ）が０．７８ｍＪ／ｍ↑２を超えると共に、前記強磁性層が垂直磁化層であることを特徴とする磁気ヘテロ接合素子。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
