適用製品
ダイヤモンド半導体を用いたＭＩＳ型半導体装置、およびその製造方法
目的
キャリア散乱を抑制して、高い移動度をもつダイヤモンド半導体によるＭＩＳ型半導体装置、およびその製造方法を提供する。
効果
ゲート絶縁体層内、およびゲート絶縁体層とダイヤモンド半導体層の界面のトラップに捕獲された電荷によるキャリア散乱が抑制され、高い移動度をもつダイヤモンド半導体によるＭＩＳ型半導体装置およびその製造方法を提供することが可能になる。
技術概要
半導体層と絶縁体層と導電体層を有し、前記絶縁体層が前記半導体層と前記導電体層で挟まれたＭＩＳ型半導体装置であって、
前記半導体層はダイヤモンドからなる半導体を含み、
前記絶縁体層は窒化ホウ素を含む、ＭＩＳ型半導体装置。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
