適用製品
基板上の所望の場所にカーボンナノチューブを成長させる方法
目的
基板上の所望の位置に高精度にカーボンナノチューブを成長させる方法を提供する。
効果
基板上の所望の位置にＦＩＢを照射することによって、カーボンナノチューブを高精度に成長させることができる。
技術概要
基板上にカーボンナノチューブを成長させる方法であって、
前記基板上にシリカ前駆体を供給するステップと、
収束イオンビーム（ＦＩＢ）を前記シリカ前駆体が供給された基板に照射し、前記シリカ前駆体に基づくシリカからなるシートを形成するステップであって、前記シートは、３ｎｍを超える厚さを有し、前記ＦＩＢが照射された基板上に形成される、ステップと、
前記シートが形成された基板を少なくとも酸素を含有する雰囲気中で熱処理するステップと、
化学的気相成長法（ＣＶＤ）により前記シートからカーボンナノチューブを成長させるステップと
を包含する、方法。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
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