薄膜形成方法及び記憶素子
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開放特許情報番号：
L2020000445
開放特許情報登録日：
2020/2/28
最新更新日：
2025/3/26
基本情報
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出願番号
特願2018-107375
公開番号
特開2019-210511
登録番号
特許第7208609号
出願日
2018/6/5
公開日
2019/12/12
出願人
国立大学法人千葉大学
特許権者
国立大学法人千葉大学
権利化状況
権利化済
発明の名称
薄膜形成方法
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技術分野
金属材料
電気・電子
機能
材料・素材の製造
適用製品
薄膜形成方法及び記憶素子
目的
室温環境において、単分子膜のエッジ部分で形状が変化しない薄膜形成方法及び記憶素子を提供する。
効果
室温環境において、単分子膜のエッジ部分で形状が変化しない薄膜形成方法及び記憶素子を提供することができる。
技術概要
ｄ電子軌道を表面に有する磁性材料に、π共役分子の薄膜を固定する薄膜形成方法。
イメージ図
実施実績 ：
無
許諾実績 ：
無
特許権譲渡 ：
否
特許権実施許諾：
可
登録者情報
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登録者名称
国立大学法人千葉大学
その他の情報
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関連特許
（国内）:
無
（国外）:
無
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