スピンテクスチャ制御装置、スピンテクスチャ制御方法、およびメモリ装置

開放特許情報番号:L2020000429 開放特許情報登録日:2020/2/26 最新更新日:2023/8/28

基本情報
出願番号
公開番号
登録番号
出願日
2019/8/2
公開日
2020/5/21
出願人
国立大学法人信州大学
特許権者
国立大学法人信州大学
権利化状況
権利化済
発明の名称
スピンテクスチャ制御装置、スピンテクスチャ制御方法、およびメモリ装置
開放特許情報
技術分野
電気・電子
機能
機械・部品の製造
適用製品
磁壁、磁気バブル、スキルミオン等のトポロジカルなスピンテクスチャの制御装置、制御方法、および、スピンテクスチャの状態に対応したデータを記憶するメモリ装置
目的
消費電力が低く、長時間の安定した動作を可能とし、かつ情報損失を抑えることが可能なスピンテクスチャ制御装置、スピンテクスチャ制御方法、および、それらを利用したメモリ装置を提供する。
効果
消費電力が低く、長時間の安定した動作を可能とし、かつ情報損失を抑えることが可能なスピンテクスチャ制御装置、スピンテクスチャ制御方法、および、それらを利用したメモリ装置を提供することができる。
技術概要
基材と、
前記基材の一面に、下部電極層、磁性体膜、絶縁層、上部電極層が順に積層されてなる積層体と、
前記下部電極層と前記上部電極層との間に電圧を印加する電源と、を備え、
前記磁性体膜が、膜面に垂直な方向に磁気異方性を有しており、前記磁気異方性が、前記積層体の積層方向に直交する方向において、連続的に単調に増加または減少している、ことを特徴とするスピンテクスチャ制御装置。
アピール内容
譲渡についての可・不可はそのときの状況によります。
イメージ図
実施実績   :
許諾実績 :
特許権譲渡  :
特許権実施許諾:
登録者情報
登録者名称
その他の情報
関連特許
(国内):
(国外):
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