適用製品
ゼオライトＭＣＭ−６８のトポロジーを有し、Ａｌを全く含まない結晶性多孔質シリケート及びその製法
目的
ゼオライトＭＣＭ−６８のトポロジーを有し、Alを全く含まない結晶性多孔質シリケート及びその製法を提供する。
効果
Ａｌを全く含まない結晶性多孔質シリケートは、粉末Ｘ線回折のピークが鋭く（半値幅が狭い）、結晶性が高いため、熱安定性、水熱安定性が高く、耐久性に優れた材料となりうる。欠損をＳｉ原子で埋めれば、ＭＣＭ−６８トポロジーをもち、なおかつ全シリカ組成をもつシリケートとなる。また、欠損を部分的にＳｉ原子で埋め、残った欠損をさらに他の金属原子で埋めれば、ＭＣＭ−６８の骨格をもつ各種メタロシリケートが得られる。
技術概要
組成式Ｒ↓４Ｓｉ↓（１１２−ｎ）Ｏ↓（２３２−ｍ）Ｈ↓（８＋４ｎ−２ｍ）（式中、ｎ＝０〜１２、ｍ＝０〜ｎ、ＲはＮ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラアルキルビシクロ［２．２．２］オクト−７−エン−２，３：５，６−ジピロリジニウム（但し、アルキル基は、その炭素数が４以下であり、同じであっても異なってもよい。）で表され、下記の値を含むＸ線回折パターンをもつ合成したままの（as-synthesized）結晶性多孔質シリケート。
2θ（単位：度）＝6.88±0.10、8.16±0.10、8.84±0.10、9.72±0.10、19.48±0.10、21.82±0.10、22.70±0.10、23.24±0.10、ただし、2θ＝23.24±0.10のピークの半値幅は0.20度以下である。
基本情報
開放特許情報
)
登録者情報
その他の情報
