適用製品
磁気メモリ素子、および磁気メモリ素子の情報の書き込み及び読み取り方法
目的
室温で電場による情報の書き込み及び読み取りが可能な磁気メモリ素子の提供。
効果
室温で電場を印加することにより磁化反転させることによって、情報の書き込み、読み取りを行うことが可能であり、消費電力の大幅な低下が可能である。
技術概要
ペロブスカイト構造を有し、擬立方表記で格子定数が３．９０〜３．９７Åである化合物からなる基板と、
前記基板上に配置された下部電極と、
前記下部電極上に配置された、下記式（１）で表される化合物からなり、厚さが２００ｎｍ〜１０００ｎｍである薄膜と、
前記薄膜上に配置された上部電極と、
を含むことを特徴とする磁気メモリ素子。
ＢｉＦｅ↓１−ｘＡ↓ｘＯ↓３・・・（１）
［式（１）中、ＡはＣｏまたはＭｎであり、ｘは０．０５≦ｘ＜０．２５を満たす。］
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
