適用製品
超伝導集積回路装置、超伝導集積回路に対するバイアス電流の供給および引き抜き
目的
バイアス戻り電流による超伝導集積回路への影響を低減する。
効果
バイアス戻り電流のグランド面での広がりを縮小することによって、不要磁場の発生を抑制し、バイアス戻り電流による超伝導集積回路への影響を低減することができる。
技術概要
積層された複数の配線層で構成される少なくとも一つの超伝導集積回路と、
配線層の少なくとも何れかの一つの層と層間接続されたグランド面と、
超伝導集積回路にバイアス電流を供給するバイアス電流供給パッドと、
グランド面からバイアス戻り電流を引き抜くバイアス電流引き抜きパッドと、
バイアス電流供給パッドと超伝導集積回路を構成する配線層との間は電気的に接続され、バイアス電流供給パッドから超伝導集積回路にバイアス電流を供給するバイアス電流供給線と、
バイアス電流引き抜きパッドと、グランド面又はグランド面と層間接続された配線層との間は電気的に接続され、グランド面からバイアス戻り電流を引き抜くバイアス電流引き抜き線とを備え、
バイアス電流供給線による超伝導集積回路へのバイアス電流の供給、及びバイアス電流引き抜き線によるグランド面からのバイアス戻り電流の引き抜きは、超伝導集積回路およびグランド面を平面視した際に同一点で行われ、
バイアス電流供給線とバイアス電流引き抜き線とは同じ配線幅であり、積層方向において重なる位置で対向配置されることを特徴とする、超伝導集積回路装置。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
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