低残留応力、低誘電率、耐薬品性無機膜形成用組成物

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開放特許情報番号：L2020000020 開放特許情報登録日：2020/1/9 最新更新日：2020/1/9

基本情報

出願番号

特願2008-558085

公開番号

WO2008/099811

登録番号

特許第5170445号

出願日

2008/2/12

公開日

2008/8/21

出願人

ＪＳＲ株式会社

特許権者

ＪＳＲ株式会社

権利化状況

権利化済

発明の名称

ケイ素含有膜形成用材料、ならびにケイ素含有絶縁膜およびその形成方法

開放特許情報

技術分野

電気・電子無機材料化学・薬品

機能

材料・素材の製造表面処理洗浄・除去

適用製品

絶縁材料、耐薬表面処理剤、ハードコート

目的

耐薬品性、低誘電率、低残留応力の無機膜を形成する

効果

低残留応力の無機膜を形成でき、対象物表面の絶縁性や耐薬品性を高めることができる。

技術概要

疎水性側鎖を有するゾルゲルモノマーを硬化させて低残留応力、低誘電率、撥水性の無機膜を形成する。

導入メリット

改善

改善効果１

低残留応力の無機膜を形成できる

改善効果２

表面の耐薬品性を向上できる。

改善効果３

表面の絶縁性を高められる

アピール内容

高い疎水性を持つため耐薬品性に優れ、絶縁性の高い表面修飾を実現できる。

イメージ図

実施実績　　　：

無

許諾実績　：

無

特許権譲渡　　：

可

対価条件　：

要応相談

特許権実施許諾：

可

実施権条件：

料率３％（用途に応じて相談可）、初年度（頭金）１0万円、継続ミニマム１0万円/年

対価条件　：

要１０万円

登録者情報

登録者名称

ＪＳＲ株式会社

その他の情報