目的
ガリウムを含まない酸化物半導体層を有し、しかも高い移動度を有する薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
効果
酸化物半導体層が、酸化インジウムタングステン亜鉛で形成されている。したがって、酸化物半導体層の材料として、ガリウムを含まない。また、酸化物半導体層が酸化インジウムタングステン亜鉛で形成されているので、高い移動度を有する薄膜トランジスタが得られる。
技術概要
ゲート電極と、ゲート絶縁層と、酸化物半導体層と、ソース電極と、ドレイン電極とを有し、
前記酸化物半導体層が、酸化インジウムタングステン亜鉛で形成され、前記ソース電極および前記ドレイン電極が、金属層を複数積層してなる積層構造を有し、前記金属層がＡｌ、Ｍｏ、それらの合金のうちいずれかからなり、
前記ゲート電極が基板上に設けられ、
前記ゲート電極上に、前記ゲート絶縁層を介して前記酸化物半導体層が設けられ、
前記ソース電極が、前記酸化物半導体層上の一部に平面視で重なり合って接しており、
前記ドレイン電極が、前記ソース電極と離間して配置され、前記酸化物半導体層上の一部に平面視で重なり合って接していることを特徴とする薄膜トランジスタ。
基本情報
開放特許情報
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