適用製品
半導体装置等において用いられ、銅を主成分とする銅配線、及びその製造方法
目的
微細な配線においてもその電気抵抗を十分に低くするためには、更なる比抵抗の低減が求められた。一方で、配線の微細化に伴って上記のような結晶粒の影響が大きくなるために、一般的には比抵抗は微細化に伴って増大し、低抵抗の銅配線を安定して得ることは、微細化に伴って困難となった問題点を解決する発明を提供する。
技術概要
平均粒径が６０ｎｍ以上の銅の結晶粒からなる多結晶で構成され、前記結晶粒の表面積のうち、前記結晶粒表面が塩素（Ｃｌ）、酸素（Ｏ）の化合物からなる不純物で被覆される面積の割合が平均２５％以下、かつ前記結晶粒表面で銅が露出する面積の割合が平均７５％以上とされたことを特徴とする銅配線。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
