適用製品
ルテニウム（Ｒｕ）の成膜方法、成膜装置、及び金属の成膜装置、半導体ウェハにおいて用いられるＲｕバリアメタル層、及びこれが用いられる配線構造
目的
緻密な構造のＲｕ層（金属層）を低温で成膜できることが望まれた点を解決する発明を提供する。
効果
緻密な構造のＲｕ層（金属層）を低温で成膜することができる。
技術概要
ルテニウム（Ｒｕ）を主成分とするＲｕ層をスパッタリング法によって基板上に成膜するＲｕ成膜方法であって、
圧力が５×１０↑-４Ｔｏｒｒ〜２×１０↑-３Ｔｏｒｒの範囲とされたアルゴン（Ａｒ）雰囲気下において、前記基板と、Ｒｕを主成分とするスパッタリングターゲットとを上下方向において対向させて配置し、
前記スパッタリングターゲット側と前記基板側の間において、前記基板側を負として直流電力を印加すると共に、
前記スパッタリングターゲットに隣接して設けられ、前記スパッタリングターゲット側と前記基板側の間に前記直流電力が印加されない場合においても前記Ａｒをプラズマ化可能なプラズマ補助手段に対して電力を供給し、
前記基板の温度を４００℃以下として前記Ｒｕ層を成膜することを特徴とするＲｕ成膜方法。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
