適用製品
新規な半導体集積回路装置用バリア材の探索方法及び当該探索方法によって探索される半導体集積回路装置用バリア材
目的
銅拡散の抑制について従来のルテニウムバリア材と同等以上の効果を有し、供給性の点で問題がなく、比較的低コストの金属又はその金属を含む金属間化合物からなる半導体集積回路装置用バリア材料の探索方法及びその探索方法によって選択される金属又は金属化合物からなる新規な半導体集積回路装置用バリア材料を提供する。
効果
数多くの様々な金属又は金属間化合物について試作や実験等による試行錯誤で探索する必要がなく、シミュレーションによって候補材料を絞った後、特性の確認を行って最適材料を選定することができる。そのため、銅の拡散抑制に対して優れたバリア性を有するルテニウム代替のバリア材の探索を、効率的に、かつ短時間で行うことが可能となる。
技術概要
バリア膜若しくはバリア膜とシード膜からなる複合膜の上に銅配線層を有する半導体集積回路装置の前記バリア膜を構成するバリア材として、面心立方格子又は六方最密格子の結晶構造を有し、単位結晶格子の稠密面における最近接原子間距離（Ｄ↓Ｍ）がルテニウムの単位結晶格子の稠密面における最近接原子間距離（Ｄ↓（Ｒｕ））に対して、-０．１２５オングストローム（Å）≦（Ｄ↓Ｍ-Ｄ↓（Ｒｕ））≦０．０６４１オングストローム（Å）、かつ融点若しくは変態点が８５３〜１８７３ケルビン（Ｋ）であるルテニウム以外の金属又は金属間化合物を選択することを特徴とする半導体集積回路用バリア材の探索方法。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
