適用製品
ｎ型導電型を有する半導体結晶の表面に設けられるオーミック性の高い接触の（低いショットキー障壁φ↓Ｂを持つ）コンタクト構造
目的
ｎ型半導体側の接合界面領域に新たな半導体層をわざわざ設けるのではなく、ｎ型半導体の表面に接合される電極材料の選択そのものにより、オーミック性の高い接触を実現する。また、ｎ型半導体側の接合界面付近の高濃度のドナー層の配置に加えて、φ↓Bの小さな電極を実現することで、コンタクト抵抗率を大きく減少させることができる。
効果
室温におけるバンドギャップが１．２ｅＶ以下のｎ型導電型を有する半導体結晶の表面に、電子濃度が１×１０↑２２ｃｍ↑-３未満の材料から成るコンタクト層を直接設けることとしたので、コンタクト層側から半導体表面側への波動関数の浸み出しが抑制され、その結果、フェルミレベルピンニング現象に起因する障壁φ↓Ｂの発生が抑制され、オーミック性の高い接触を実現することができる。
技術概要
室温におけるバンドギャップが１．２ｅＶ以下のｎ型導電型を有する半導体結晶の表面に、電子濃度が１×１０↑２２ｃｍ↑-３未満の材料から成るコンタクト層が直接設けられているコンタクト構造を備えている、半導体装置。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
