技術概要
各々のメモリセルが、データを揮発的に記憶する双安定回路と、前記双安定回路に記憶されたデータを不揮発的にストアし、不揮発的にストアされたデータを前記双安定回路にリストアする不揮発性素子と、を有し、各々のブロックが少なくとも２つのメモリセルを含む複数のブロックに分割されたセルアレイと、
前記セルアレイをシャットダウンするときに、前記複数のブロックからブロック内のいずれのメモリセルも揮発的に書き換えられていないブロックを抽出し、抽出されたブロックをシャットダウンし、前記抽出されたブロックをシャットダウンした後前記複数のブロックのうち残りのブロック内のメモリセルにおいて前記双安定回路に記憶されたデータを前記不揮発性素子にストアするストア動作を行い、ストア動作の終了したブロックをシャットダウンする制御部と、
を備えることを特徴とする電子回路。
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