目的
光との相互作用が強いＬＯフォノンを利用できる構造により室温で動作するコンパクトなＴＨｚ光源を得ること、さらにフォノン系で光学利得が発生する構造を有する素子によりレーザ光を得ること。また、ＴＨｚ検知器では、測定対象となる分子や結晶固有の光吸収波長に合わせた狭帯域の光検出をできる動作原理と素子構造を得ること。
効果
光との相互作用が強いＬＯフォノンを利用できる構造により室温で動作するコンパクトなＴＨｚ光源を得ること、さらにフォノン系で光学利得が発生する構造を有する素子によりレーザ光を得ることができる。また、ＴＨｚ検知器では、測定対象となる分子や結晶固有の光吸収波長に合わせた狭帯域の光検出をできる動作原理と素子構造を得ることができる。
技術概要
半導体又は絶縁体の基板に、ストライプ状、格子状又は円環状の導電体が形成され、その間隔が縦光学（ＬＯ）フォノンエネルギーに共鳴する赤外光の１／２波長以下であって、当該モードに共鳴する赤外光を発光する又は検出する赤外光素子。
基本情報
開放特許情報
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