適用製品
半導体膜中の欠陥密度を測定する装置及びそのプログラム
目的
酸化物半導体ＴＦＴのように、活性層中にキャリアを捕獲する欠陥を含む蓄積型の電界効果型の薄膜トランジスタに適用可能な、半導体膜中の欠陥密度の測定装置及び測定プログラムを提供する。
効果
酸化物半導体ＴＦＴのような、半導体膜中にキャリアを捕獲する欠陥を含む蓄積型の電界効果型の薄膜トランジスタについて、半導体膜中の欠陥密度の測定が可能となる。
技術概要
測定の対象が半導体膜中にキャリアを捕獲する欠陥を含む蓄積型の薄膜トランジスタであって、前記半導体膜と絶縁膜とゲート電極とをこの順で積層した構造を有する電界効果型の前記薄膜トランジスタについて、前記半導体膜中の欠陥密度を測定する欠陥密度測定装置。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
