炭化珪素（ＳｉＣ）の成膜装置のクリーニング

開放特許情報番号：L2019000502 開放特許情報登録日：2019/4/19 最新更新日：2026/6/30

基本情報

出願番号

公開番号

登録番号

出願日

2011/8/26

公開日

2013/3/4

出願人

日本酸素ホールディングス株式会社

特許権者

日本酸素株式会社

権利化状況

権利化済

発明の名称

炭化珪素成膜装置、及び炭化珪素除去方法

開放特許情報

技術分野

電気・電子化学・薬品

機能

洗浄・除去

適用製品

炭化珪素（ＳｉＣ）の成膜装置のクリーニング技術

目的

炭化珪素の成膜装置のチャンバー内のクリーニングを行う。

効果

炭化珪素の成膜装置の内面のクリーニングを、インサイチュ（ｉｎ－ｓｉｔｕ）で、チャンバー内の損傷を抑制しかつ短時間で行うことができる。

技術概要

図のような構成の成膜装置において、炭化珪素コートよりも表面状態が粗く、（１１１）面が多く、組成がSiリッチなチャンバー内壁の付着物は、プラズマ化したF含有ガス及びO含有ガスで優先的に除去される。

イメージ図

実施実績　　　：

無

許諾実績　：

無

特許権譲渡　　：

否

特許権実施許諾：

可

登録者情報

登録者名称

その他の情報