適用製品
半導体製造装置の構成部材のクリーニング技術
目的
グラファイト、炭化珪素、炭化珪素被覆グラファイト、石英を材質とする半導体製造装置の構成部材（以下、部材）に付着した金属成分を、部材にダメージを与えることなく、効率よく確実に除去する。
効果
部材に付着した金属成分を一酸化炭素と反応させることで、金属成分は沸点の低い金属カルボニルとなり、温度と圧力を最適化することで除去できる。
技術概要
図のように、混合ガス（一酸化炭素含有率１０％以上）を洗浄装置内に導入し、部材に付着した金属不純物を金属カルボニルとして脱離する。
この時の温度を６０〜１００℃、圧力を２５〜１０１ｋＰａとする。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
