適用製品
半導体発光素子及びその製造方法並びに発光モジュール
目的
半導体発光素子から放射される深紫外光の出力を増加させること。
本発明の別の目的は、放射される深紫外光の出力が増加された半導体発光素子を、高スループット、安価かつ容易に製造することができる、半導体発光素子の製造方法を提供すること。
本発明のさらに別の目的は、発光モジュールから放射される深紫外光の出力を増加させること。
効果
半導体発光素子から放射される深紫外光の出力が増加され得る。
技術概要
第１の主面と、前記第１の主面とは反対側の第２の主面とを有する基板と、
前記第１の主面上に設けられた半導体層とを備え、前記半導体層は深紫外光を放射し得るように構成されている活性領域を含み、さらに、
前記第２の主面上に形成された周期的凹凸構造を備え、前記周期的凹凸構造は、前記第２の主面から突出する複数の突起部を含み、
前記第２の主面の第２の平面視における前記活性領域の第１の面積は、０．１５ｍｍ↑2以上であり、
前記第２の主面の前記第２の平面視における前記第２の主面の第２の面積に対する、前記第２の主面の前記第２の平面視における前記複数の突起部の第３の面積の比は、６０％以上１００％以下であり、
前記複数の突起部は、各々、０．６以上のアスペクト比を有する、半導体発光素子。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
