適用製品
半導体光デバイス、半導体光源、光集積回路、及び半導体光デバイスの製造方法
目的
高い温度環境下においても、安定に動作し、高い性能を発揮する半導体光デバイス、半導体光源、光集積回路、及び半導体光デバイスの製造方法を提供すること。
効果
コンタクト層は、第１不純物及び第２不純物を含む。このため、室温環境下からの温度上昇に伴う閾値電流の上昇を、抑制することができる。これにより、高い温度環境下においても、安定に動作し、高い性能を発揮することが可能となる。
技術概要
基板の上に設けられた活性層と、前記活性層の上に設けられたクラッド層とを備える半導体光デバイスであって、前記クラッド層の上に設けられ、第１不純物及び前記第１不純物とは異なる第２不純物を含むコンタクト層を備えること を特徴とする半導体光デバイス。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
