目的
大面積かつ高品位のグラフェンを、従来法では到底成し得なかったほどの低温で製造する技術を提供すること。
効果
グラフェンを電子素子に応用することにより、その良伝導性、高い電子・正孔移動度、非弾性的な電子伝導性やスピン伝導性、力学的強度、光吸収および発光、熱伝導等の優位な特性により、高性能の電子素子を実現できる。
技術概要
基板の主面に炭素六員環の生成核を形成する第１の工程と、
前記生成核の周りで２次元的に炭素六員環を形成してグラフェン膜とする第２の工程を備え、
前記第２の工程における炭素六員環の形成を３００℃以下の温度で実行する、グラフェンの製造方法。
基本情報
開放特許情報
)
登録者情報
その他の情報
