目的
従来よりも低温かつ短時間での処理が可能であるとともに、基材の種類および用途などの自由度が高い、接合体の製造方法の提供である。
効果
従来よりも低温かつ短時間での基材表面の修飾が可能であるとともに、基材の形状、種類および用途、修飾反応の形態、ならびに基材表面に修飾させる分子構造の種類などの自由度が高い、表面修飾基材の製造方法が実現する。
技術概要
極性基が表面に存在する基材と、分子構造Ａのケイ素原子に水素原子が結合したＳｉ−Ｈ基を有するヒドロシラン化合物と、をボラン触媒の存在下で接触させ、前記基材と前記化合物との間で脱水素縮合反応を進行させることで、前記分子構造Ａにより表面が修飾された前記基材を形成する工程を含む、表面修飾基材の製造方法。
基本情報
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