目的
ＧａＮ層の成長方法を改善し、追加の工程を必要とすることなく転位密度低減を図ったＧａＮ層の選択成長方法を提供すること。
効果
凹凸を施した表面を有するサファイア基板上に、追加の工程を必要とすることなく成長条件を調整するのみで、転位密度の低いＧａＮ層の選択成長が実現される。
技術概要
凹凸表面を有するサファイア基板に、アンモニアガス、水素及び窒素ガスを含む混合ガスを用いるＭＯＶＰＥ法によりＧａＮ層を形成する方法において、成長温度Ｔ（℃）とガス雰囲気に係るＦ値（＝水素流量／（水素流量＋窒素流量））（容積比）を下記関係に調整することを特徴とするＧａＮ層の形成方法。
Ｆ＞−０．００４Ｔ＋５．２
但し、Ｆ≦１．０
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