技術概要
主面が｛１１−２２｝面のＧａＮ層と、
上記ＧａＮ層の直上にＩｎ↓ｘＧａ↓（１−ｘ）Ｎ（０．０１＜ｘ＜０．０５）がエピタキシャル成長して形成され、ｎ型ドーパントを含有した厚さ０．２μｍ以上のＩｎＧａＮ層と、
上記ＩｎＧａＮ層の直上にエピタキシャル成長して形成され、ＩｎＧａＮで形成された井戸層を含む紫色に発光するように構成された多重量子井戸層と、
を備え、
上記ＩｎＧａＮ層は、上記ＧａＮ層との間の格子不整合による歪みが完全に又は部分的に緩和しており、
上記多重量子井戸層の発光波長に対する発光強度分布の半値全幅が４０ｎｍ以下である半導体発光素子。
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