目的
ベース基板上に結晶品質が良好な半導体層を得ること。
効果
本発明によれば、ベース基板の表面を被覆する薄膜に形成された多数の開口から露出したベース基板の表面から相対的に低温で半導体を堆積させて薄膜上にＬＴ-半導体層を形成した後、ＬＴ-半導体層から相対的に高温で半導体を結晶成長させてＬＴ-半導体層上にＨＴ-半導体層を形成することにより、ベース基板上に結晶品質が良好なＨＴ-半導体層を得ることができる。
技術概要
ベース基板の表面を、多数の開口が形成された薄膜で被覆し、前記薄膜の多数の開口から露出した前記ベース基板の表面から相対的に低温で半導体を堆積させて前記薄膜上にＬＴ-半導体層を形成した後、前記ＬＴ-半導体層から相対的に高温で半導体を結晶成長させて前記ＬＴ-半導体層上にＨＴ-半導体層を形成する半導体基板の製造方法。
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