適用製品
ＳｉＣ接合型電界効果トランジスタ及びＳｉＣ相補型接合型電界効果トランジスタ
目的
高温で安定に動作可能で、消費電力が極めて小さく、かつ作製が容易な、ノーマリオフ型のＳｉＣ接合型電界効果トランジスタ及びＳｉＣ相補型接合型電界効果トランジスタを提供すること。
効果
高温で安定に動作可能で、消費電力が極めて小さく、かつ作製が容易な、ノーマリオフ型のＳｉＣ接合型電界効果トランジスタ及びＳｉＣ相補型接合型電界効果トランジスタを提供することができる。
技術概要
半絶縁性ＳｉＣ基板と、
前記半絶縁性ＳｉＣ基板の主面に形成された第１導電型のチャネル領域と、
前記チャネル領域の主面に形成された第２導電型のゲート領域と、
前記チャネル領域の主面であって、前記ゲート領域を挟んで形成された第１導電型のソース領域及びドレイン領域と
を備えたノーマリオフ型のＳｉＣ接合型電界効果トランジスタであって、
前記チャネル領域の不純物濃度をＮ（ｃｍ↑−３）、前記ゲート領域下における前記チャネル領域の厚さをＤ（ｃｍ）としたとき、ＮＤ↑２＜３×１０↑７ｃｍ↑−１を満たすことを特徴とするＳｉＣ接合型電界効果トランジスタ。
基本情報
開放特許情報
)
登録者情報
その他の情報
