目的
可視光を透過するとともに高速動作が可能な多層積層型の集積回路とその製造方法を提供すること。
効果
可視光を透過するとともに高速動作が可能であり、透明エレクトロニクスや光学デバイスに適した多層積層型の集積回路が実現できる。さらに、透明性が高く意匠性に優れた機器を作製できる。また、光電変換層等の脆弱な機能層にダメージを与えずに、高速、高感度な多層積層型の集積回路が作製可能である。
技術概要
単結晶シリコン層の半導体島領域を支持する第１の絶縁層（２０）と、
前記単結晶シリコン層からなるＭＯＳトランジスタで構成された回路部（６１）と、
前記回路部（６１）と前記第１の絶縁層（２０）を覆う第２の絶縁層（２２）と、
前記第２の絶縁層（２２）上に設けられた複数の画素電極（４３）と、
前記画素電極（４３）を覆い全体を一体化した光電変換膜又は発光膜（５０〜５３）と、
前記光電変換膜又は発光膜（５０〜５３）上に設けられた対向電極（４４）と、
を備え、該回路部以外の単結晶シリコン層が除去されてなる単層集積回路を、前記第１の絶縁層（２０）を基板側として、基板上に接着層（２６）を介して複数層積層してなる積層型集積回路であって、
前記単層集積回路の前記回路部（６１）以外の領域は、可視光が透過し、
各単層集積回路の前記回路部（６１）と前記画素電極（４３）は、積層方向に位置合わせされており、
各単層集積回路の前記光電変換膜又は発光膜（５０〜５３）は、互いに異なる波長域に吸収特性又は発光特性を有することを特徴とする積層型集積回路。
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