目的
ソース・ドレイン電極と金属酸化物の半導体層の間にアルミニウム元素及び／またはタンタル元素を含む金属酸化物のバリア層を挿入することで、接触抵抗が低減できて高い飽和移動度及び小さなサブスレッショルド電圧の高性能なトランジスタ特性を有する薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
効果
ソース電極とドレイン電極と半導体層の間にアルミニウム元素及び／またはタンタル元素を含む金属酸化物のバリア層を設けることで、接触抵抗が低減できて高い飽和移動度及び小さなサブスレッショルド電圧の高性能なトランジスタ特性を有する薄膜トランジスタを提供することができる。
技術概要
ソース電極及びドレイン電極と、
インジウムを含む金属酸化物半導体層と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極と前記金属酸化物半導体層との間に設けられ、酸化タンタルからなるバリア層と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間のチャネルに対応させて設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極と前記金属酸化物半導体層との間に設けられた絶縁体層と
を有する薄膜トランジスタ。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
