目的
先行特許出願で示した以外の組成条件で解決する薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供すること。
効果
本発明によれば、酸素欠陥が導入されることで電子キャリアを生成できる金属酸化物として酸素のかい離エネルギーが５２８ｋＪ／ｍｏｌと大きな酸化錫を用いた場合、これに添加する金属酸化物が、当該添加する金属酸化物についての酸素のかい離エネルギーが酸化錫についての酸素のかい離エネルギーより大きく、かつ酸化錫についての酸素のかい離エネルギーとの差が２００ｋＪ／ｍｏｌ未満であるようにした複合金属酸化物の半導体層を用いることで、トランジスタ特性に優れた薄膜トランジスタを提供することができる。
技術概要
ソース電極およびドレイン電極と、
前記ソース電極および前記ドレイン電極に接して設けられた半導体層と、
前記ソース電極および前記ドレイン電極の間のチャネルに対応させて設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極と前記半導体層との間に設けられた絶縁体層と
を設け、
前記半導体層が、酸化錫に、酸素のかい離エネルギーが酸化錫より大きくかつ酸化錫の酸素のかい離エネルギーとの差が２００ｋＪ／ｍｏｌ未満である金属酸化物を添加した複合金属酸化物であり、
前記半導体層は、酸素の解離エネルギーが酸化錫よりも小さい追加の酸化物を前記金属酸化物よりも少ない量だけ含む、薄膜トランジスタ。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
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