Co(OH)2垂直配向グラフェン/CNT複合体、その製造方法、Co(OH)2垂直配向グラフェン/CNT複合体電極及びCo(OH)2垂直配向グラフェン/CNT複合体キャパシター

開放特許情報番号:L2018001257 開放特許情報登録日:2018/7/24 最新更新日:2018/7/24

基本情報
出願番号
公開番号
登録番号
出願日
2013/7/17
公開日
2015/2/2
出願人
国立研究開発法人物質・材料研究機構
特許権者
国立研究開発法人物質・材料研究機構
権利化状況
権利化済
発明の名称
Co(OH)2垂直配向グラフェン/CNT複合体、その製造方法、Co(OH)2垂直配向グラフェン/CNT複合体電極及びCo(OH)2垂直配向グラフェン/CNT複合体キャパシター
開放特許情報
技術分野
化学・薬品 無機材料 電気・電子
機能
材料・素材の製造
適用製品
Co(OH)↓2垂直配向グラフェン/カーボンナノチューブ複合体、その製造方法、Co(OH)↓2垂直配向グラフェン/カーボンナノチューブ複合体電極及びCo(OH)↓2垂直配向グラフェン/カーボンナノチューブ複合体キャパシター
目的
比容量が高く、サイクル寿命の長い、Co(OH)↓2垂直配向グラフェン/CNT複合体、その製造方法、Co(OH)↓2垂直配向グラフェン/CNT複合体電極及びCo(OH)↓2垂直配向グラフェン/CNT複合体キャパシターを提供する。
効果
Co(OH)↓2垂直配向グラフェン/CNT複合体は、グラフェンの表面に高密度で板状結晶を成長させ、集積してもグラフェンの表面活性を低下させないようにでき、比容量が高く、サイクル寿命の長いキャパシターを構成可能な電極材料にできる。Co(OH)↓2垂直配向グラフェン/CNT複合体の製造方法は、容易に、短時間で、グラフェンの表面に高密度で板状結晶を成長させ、比容量が高く、サイクル寿命の長いキャパシターを構成可能な電極材料に用いることができるCo(OH)↓2垂直配向グラフェン/CNT複合体を作成できる。
技術概要
表面に結晶成長させたCo(OH)↓2の板状結晶を有するグラフェンとカーボンナノチューブとの複合体からなることを特徴とするCo(OH)↓2垂直配向グラフェン/CNT複合体。
イメージ図
実施実績   :
許諾実績 :
特許権譲渡  :
特許権実施許諾:
登録者情報
その他の情報
関連特許
(国内):
(国外):
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