目的
従来技術の問題点を解消し、一次元ナノ構造体先端から電子ビームを放出する電子源の先端近傍の構造の非対称性が一次元ナノ構造体先端近傍の電界にもたらす非対称性を防止あるいは軽減すること。
効果
本発明の電子源においては、一次元ナノ構造体を取り付ける先端部材の先端部あるいはその近傍に設けられた導電性軸対称構造物により、軸の周りの先端部材の非対称性が当該構造物よりも前方（電子ビーム放出方向）へ及ぼす影響を大きく低減できる。これにより、電子源の軸方向と一次元ナノ構造体からの電子ビーム放出方向とを容易に一致させることができるようになる。
技術概要
先端から電子ビームを放出する一次元ナノ構造体と
前記一次元ナノ構造体が取り付けられるとともに、前記電子ビーム放出方向軸の周りに非対称性を有する前記導電性先端部材と、
を設けた電子源において、
前記導電性先端部材上であって、前記非対称性を有する部分よりも前記一次元ナノ構造体の前記先端寄りの位置に、前記電子ビーム放出方向軸の周りの対称性を有するとともに、中心に貫通孔を有する導電性軸対称部を設け、
前記一次元ナノ構造体は前記貫通孔を通して前記導電性先端部材に取り付けられる
電子源。
基本情報
開放特許情報
)
登録者情報
その他の情報
