目的
Ｂｉ↓２Ｔｅ↓３ターゲットを使用してｐ型及びｎ型の両方のＢｉ↓２Ｔｅ↓３薄膜を作り分けることができるようにする。
効果
単一のＢｉ↓２Ｔｅ↓３ターゲットを使用してスパッタリングの際に印加する高周波電力を変化させるだけでｐ型及びｎ型の両方のＢｉ↓２Ｔｅ↓３薄膜を作製することができるので、この薄膜の作成プロセスの簡易化を達成することができる。また、その際に基板を加熱する必要がないため、熱に弱い材料を基板として使用できるようになる。
技術概要
マグネトロン・スパッタリング法によりテルル化ビスマスからなる一種類のターゲットを使用して基板上にテルル化ビスマス薄膜を製造する方法において、
製造されるテルル化ビスマス薄膜中のテルルの組成が５０原子％を超える高周波スパッタリング電力を印加することにより、製造されるテルル化ビス膜薄膜の伝導型をｐ型とする、
テルル化ビスマス薄膜製造方法。
基本情報
開放特許情報
)
登録者情報
その他の情報
