目的
アクティブマトリクス駆動ディスプレイのピクセル毎のスイッチング素子等に好適な、小さな専有面積と優れたトランジスタ特性とを両立した薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
効果
本発明によれば、占有面積を低減することができ、従ってＴＦＴ型ディスプレイに適用した場合には解像度の向上、すなわち表示画面上のピクセル密度の増大による開口率の低下を抑えることができる多層薄膜トランジスタ、及びその製造方法が実現される。また、上記問題点が解消されたディスプレイを提供することができる。
技術概要
同一構成の薄膜トランジスタを、層間絶縁膜を介して基板上に順次形成していくことにより、３個以上の薄膜トランジスタが基板上に垂直方向に一体的に積層された多層構成の薄膜トランジスタが得られる。当該素子の上側からゲート電極、ソース電極及びドレイン電極用の導電体をそれぞれ基板に向かって伸ばすことで、各薄膜トランジスタのゲート電極、ソース電極、ドレイン電極を共通接続した端子を素子上部に設ける。これにより、見掛け上の移動度の大きな薄膜トランジスタが得られるので、小専有面積で大電流を出力できる。
基本情報
開放特許情報
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