目的
製造条件の制約を大幅に解消し、しかも安価で、優れた電気特性を有するＩｎＧａＡｌＮ系窒化物半導体層を備えた半導体素子を実現する。
効果
製造条件の制約が大幅に解消され、しかも安価で、優れた電気特性を有するＩｎＧａＡｌＮ系窒化物半導体層をチャネルとして備えた半導体素子が提供される。
技術概要
一般式Ｉｎ↓xＧａ↓yＡｌ↓zＮ（但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）で表記される多結晶若しくは非晶質の窒化物半導体層が基板上に設けられている半導体素子であって、
前記窒化物半導体層の組成は、０．３≦ｘ≦０．９９、且つ、０≦ｚ＜０．４の範囲にあり、且つ、厚みが１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であり、
前記窒化物半導体層をチャネルとして備えている、
ことを特徴とするＩｎＧａＡｌＮ系半導体素子。
基本情報
開放特許情報
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