ゲルマニウム層を熱処理する半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法

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開放特許情報番号：L2018000257 開放特許情報登録日：2018/2/8 最新更新日：2022/8/25

基本情報

出願番号

特願2015-544904

公開番号

WO2015/064338

登録番号

特許第6169182号

出願日

2014/10/10

公開日

2015/5/7

出願人

国立研究開発法人科学技術振興機構

特許権者

国立研究開発法人科学技術振興機構

権利化状況

権利化済

発明の名称

ゲルマニウム層を熱処理する半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法

開放特許情報

技術分野

電気・電子無機材料

機能

材料・素材の製造

適用製品

半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法

目的

高性能な半導体装置を提供する。

効果

本発明によれば、高性能な半導体装置を提供することができる。

技術概要

表面から１μｍにおける酸素濃度が１×１０↑１６ｃｍ↑（－３）以上のシリコン組成比が１０％以下の単結晶ゲルマニウム層を還元性ガス雰囲気中において、７００℃以上において熱処理する工程を含み、
前記熱処理により、表面から１μｍにおける前記ゲルマニウム層の酸素濃度は１×１０↑１６ｃｍ↑（－３）より低くなることを特徴とする半導体基板の製造方法。

イメージ図

実施実績　　　：

無

許諾実績　：

無

特許権譲渡　　：

否

特許権実施許諾：

可

登録者情報

登録者名称

国立研究開発法人科学技術振興機構

その他の情報