目的
上面に絶縁膜が形成されたゲルマニウム層上面の平坦性を向上させること、または、絶縁膜および／または絶縁膜とゲルマニウム層との界面の劣化を抑制すること。
効果
本発明によれば、上面に絶縁膜が形成されたゲルマニウム層上面の平坦性を向上させること、または、絶縁膜および／または絶縁膜とゲルマニウム層との界面の劣化を抑制することができる。
技術概要
ゲルマニウム層と、
前記ゲルマニウム層の上面に形成され、酸化ゲルマニウムと、アルカリ土類元素、希土類元素およびアルミニウムの少なくとも１つの酸化物と、からなり、物理膜厚が３ｎｍ以下の第１絶縁膜と、
を具備し、
前記ゲルマニウム層と前記第１絶縁膜との界面における前記第１絶縁膜内の前記アルカリ土類元素、希土類元素およびアルミニウムの少なくとも１つの元素の前記少なくとも１つの元素とゲルマニウムとの和に対する原子組成比は１０％以上かつ３０％以下であることを特徴とする半導体構造。
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