目的
基板や内部構造からの脱ガスは封止内部の雰囲気を劣化させる原因となるため、接合前のアニールによる脱ガス処理は必須であり、このアニール処理後も強固な接合が達成できる接合手法が求められている。
効果
素子形成基板の凹部内に作製した素子を、封止基板で封止接合することにより作製した、半導体素子、光学素子、ＭＥＭＳ、ガスセル等の素子の長期的安定性を実現することができる。
また、封止前にＣｓ供給源と気体ゲッター材を凹部に配置しておき、アニールによる脱ガス処理後封止することにより、Ｃｓを安定にセル内に封止することができる。
技術概要
２枚の基板を接合することにより封止構造を形成する方法であって、
少なくとも１つの凹部とその周りの平坦な表面を有する第１の基板と、平坦な表面を有する第２の基板を準備するステップと、
前記第１の基板の前記平坦な表面と、前記第２の基板の前記平坦な表面に下地層を形成するステップと、
前記第１及び前記第２の基板の前記下地層の上に金属接合層を形成するステップと、
前記下地層及び前記金属接合層が形成された前記第１及び前記第２の基板をアニールにより脱ガス処理するステップと、
前記アニールによる脱ガス処理後の前記第１及び前記第２の基板の各々の前記金属接合層同士を原子拡散接合することにより、前記第１基板の前記凹部を前記第２の基板により封止するステップと
を含む基板の接合方法。
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