目的
ＳｉＯｘ層と高誘電体層との複数の界面における界面双極子を蓄積した薄膜積層構造体を提供する。
効果
本発明に係る薄膜積層構造体によれば、第１のＳｉＯｘ層と第１の高誘電体層との界面に形成される第１の界面双極子と、第２のＳｉＯｘ層と第２の高誘電体層との界面に形成される第２の界面双極子と、が互いに同じ方向となるように第１の高誘電体層及び第２の高誘電体層の材料を選択すると共に、第１の高誘電体層及び第２の高誘電体層とＳｉＯｘ層との積層順序を設定している。これによって、全体としての双極子モーメントが互いに打ち消し合って相殺しないようにすることができる。
技術概要
薄膜積層構造体は、第１のＳｉＯｘ層と、第１のＳｉＯｘ層の上に設けられた第１の高誘電体層と、第１の高誘電体層の上に設けられた第２の高誘電体層と、第２の高誘電体層の上に設けられた第２のＳｉＯｘ層と、を備え、第１のＳｉＯｘ層と第１の高誘電体層との界面において形成される第１の界面双極子を有し、第２の高誘電体層と第２のＳｉＯｘ層との界面において形成される第２の界面双極子を有し、第１の界面双極子による双極子モーメントと第２の界面双極子による双極子モーメントとの総和としてゼロでない双極子モーメントを有する。
基本情報
開放特許情報
)
登録者情報
その他の情報
