目的
高消光比変調器の利用により，汎用的なＡＤ変換器・制御ボードを用いても，容易に要求される消光比を実現可能なバイアス電圧を制御できる方法や，その方法を実現する装置を提供する。また，局所的な最小点，又は最大点への局所ロックイン動作を回避する方法や，その方法を実現する装置を提供する。
効果
高消光比変調器の利用により，汎用的なＡＤ変換器・制御ボードを用いても，容易に要求される消光比を実現するためのバイアス電圧を制御できる方法や，その方法を実現する装置を提供できる。また，局所的な最小点，又は最大点への局所ロックイン動作を回避する方法や，その方法を実現する装置を提供できる。
技術概要
制御電圧のステップ量（変異量）ΔＶを半波長電圧Ｖ↓Π［Ｖ］の０．１倍以下とする。たとえば，最小点を探す場合，現バイアス電圧を基準として，ステップ電圧ΔＶだけ大きいバイアス，及びステップ電圧ΔＶだけ小さいバイアスを印可した際の，光強度を計測し，その小さい方へバイアス電圧を移動させる。そして，この移動させたバイア電圧を基準とし，両隣の電位にあるバイアス点における光強度を比較し，基準となるバイアス電圧を変化させることを繰り返す。その際，ΔＶは，所定のアルゴリズムに従って，次第に小さくなるようにしてもよい。
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