適用製品
Ｓｎを含む複合酸化物により構成される酸化物半導体及び半導体装置
目的
可視光領域で光吸収が少なく、かつ高い荷電担体の移動度が実現できる新規な酸化物半導体及び該酸化物半導体を備えた半導体装置を提供する。
ｐ型の半導体特性を示す酸化物半導体及び該酸化物半導体を備えた半導体装置を提供する。
効果
酸化物半導体において、ワイドギャップを有する透明でかつ高移動度の半導体を実現できた。ｐ型の酸化物半導体を実現できた。
技術概要
パイロクロア構造を含む結晶構造を有し、Ｎｂ及びＴａから選択される少なくとも１種以上の元素とＳｎ元素を含む複合酸化物で構成され、前記複合酸化物中の全Ｓｎ量に対するＳｎ↑4+の割合であるＳｎ↑4+／(Ｓｎ↑2+＋Ｓｎ↑4+)が０.１２４≦Ｓｎ↑4+／(Ｓｎ↑2+＋Ｓｎ↑4+)≦０.１４８であり、正孔が荷電担体となることを特徴とする酸化物半導体。
基本情報
開放特許情報
)
登録者情報
その他の情報
