適用製品
ドレイン電流を計算するシミュレーション装置及びそのプログラム
目的
半導体膜中にキャリアを捕獲する欠陥を含む蓄積型の薄膜トランジスタについて、ドレイン電流を高速かつ高精度に計算する。
効果
ハイスペックなコンピュータを用いることなく、高速かつ高精度にドレイン電流を計算することができる。半導体膜中にキャリアを捕獲する欠陥を含む蓄積型のＴＦＴについて、広い範囲のドレイン−ソース間電圧に対するドレイン電流を高速かつ高精度に計算することができる。半導体膜中にキャリアを捕獲する欠陥を含む蓄積型のＴＦＴについて、ドレイン電流の基本特性を高速かつ高精度に計算することができる。ドレイン電流のドレイン電圧依存特性及び／又はゲート電圧依存特性を計算することができる。
技術概要
シミュレーション装置１は、電気的中性条件に基づきフラットバンド条件でのフェルミ準位を算出するフェルミ準位演算手段１１と、フラットバンド条件での電荷担体密度を算出する電荷担体密度演算手段１２と、電荷密度として、電子密度、ホール密度、ドナー密度、アクセプタ型欠陥及びドナー型欠陥の密度を考慮した一次元のポアソン方程式から半導体膜の深さ方向のポテンシャル分布を算出するポテンシャル分布演算手段１４と、深さ方向のキャリア密度分布を算出するキャリア密度分布演算手段１５と、キャリア面密度を求めるキャリア面密度演算手段１６と、チャネル長方向の２以上の位置におけるキャリア面密度及び表面ポテンシャルを用いてドレイン電流を計算するドレイン電流演算手段１７とを備える。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
