適用製品
深紫外光を放射する半導体発光素子、該半導体発光素子を備える発光モジュール、及び該半導体発光素子の製造方法
目的
向上した光取り出し効率を有する、深紫外光を放射する半導体発光素子を提供する。
効果
本発明の半導体発光素子によれば、向上した光取り出し効率を有する、深紫外光を放射する半導体発光素子を提供することができる。本発明の半導体発光素子の製造方法によれば、向上した光取り出し効率を有する、深紫外光を放射する半導体発光素子を製造する方法を提供することができる。本発明の発光モジュールによれば、向上した光取り出し効率を有する、深紫外光を放射する半導体発光素子を備える発光モジュールを提供することができる。
技術概要
深紫外光を放射する半導体発光素子１は、第１の主面１１ａと、第１の主面１１ａと反対側の第２の主面１１ｂと、第１の主面１１ａと第２の主面１１ｂとの間に延在する側面１１ｃとを有する基板１１と、基板１１の第１の主面上１１ａに設けられた活性層１３とを備える。基板１１の第１の主面１１ａと少なくとも一部の側面１１ｃとがなす角の補角θは、２０°以上７０°以下、または、１００°以上１４０°以下である。基板１１の光吸収係数α（ｃｍ-1）及び基板１１の厚さｔ（μｍ）は、３４０ｅｘｐ（−０．１６α）≦ｔ≦３２００α-0.7を満たす。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
